DN3535N8-G 가격 (USD) [178033PC 주식]
- 1 pcs$0.21285
- 2,000 pcs$0.21179
- 부품 번호:
- DN3535N8-G
- 제조사:
- Microchip Technology
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈 and 트랜지스터 - 특수용 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microchip Technology DN3535N8-G electronic components. DN3535N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN3535N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DN3535N8-G 제품 속성
부품 번호 :
DN3535N8-G
제조사 :
Microchip Technology
기술 :
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
350V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
230mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 150mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ ID :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
360pF @ 25V
FET 특징 :
Depletion Mode
전력 발산 (최대) :
1.6W (Ta)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
TO-243AA (SOT-89)
패키지 / 케이스 :
TO-243AA
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