기술 :
GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
150V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
31A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 9mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1140pF @ 75V