기술 :
IC GATE DRIVER HIGH SIDE 8SOIC
시리즈 :
Automotive, AEC-Q100
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel MOSFET
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
250mA, 500mA
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
600V
상승 / 하강 시간 (일반) :
15ns, 10ns
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)