RN2117MFV,L3F 가격 (USD) [2968934PC 주식]
- 1 pcs$0.01246
- 부품 번호:
- RN2117MFV,L3F
- 상세 설명:
- X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 트랜지스터 - JFET ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2117MFV,L3F electronic components. RN2117MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2117MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN2117MFV,L3F 제품 속성
부품 번호 :
RN2117MFV,L3F
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
트랜지스터 유형 :
PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 -베이스 (R1) :
10 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
500nA
빈도 - 전환 :
-
전력 - 최대 :
150mW
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-723
공급 업체 장치 패키지 :
VESM
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- FJNS4209RTA
- FJNS4214RBU
- FJN4312RBU
- PDTA114TK,135
- DTA143EKA-TP
- DTC363TKT146
- DTA114ESATP
- UNR422300A
- DDTC143XCA-7
- UNR521900L
- UNR521000L
- PDTC114EK,135
- PDTC124EE,115
- DDTC143EUA-7
- DDTA143TE-7
- DDTC124XE-7
- DDTC144GE-7
- DDTA123TCA-7
- RN2104ACT(TPL3)
- DDTC125TUA-7
- PDTB113ZK,115
- PDTA113ZS,126
- PDTA124EE,115
- FA4F4M-T1B-A
- PDTC114EU/MIF
- RN2102ACT(TPL3)
- RN1104ACT(TPL3)
- DDTA144VKA-7-F
- DDTA124XKA-7-F
- UNR521MG0L
- BCR191WE6327HTSA1
- BCR 149L3 E6327
- BCR 133 B6327
- BCR 116F E6327
- PDTB113EUX
- BCR583E6327HTSA1
- DTC114EUBHZGTL
- PDTA144ET,235
- BCR129WH6327XTSA1
- BCR135E6433HTMA1