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Microsemi Corporation - APTM50HM35FG

KEY Part #: K6522630

APTM50HM35FG 가격 (USD) [470PC 주식]

  • 1 pcs$99.22855
  • 100 pcs$98.73487
부품 번호:
APTM50HM35FG
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
경쟁 우위:
We specialize in Microsemi Corporation APTM50HM35FG electronic components. APTM50HM35FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM50HM35FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM50HM35FG 제품 속성

부품 번호 : APTM50HM35FG
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 99A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 14000pF @ 25V
전력 - 최대 : 781W
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : SP6
공급 업체 장치 패키지 : SP6

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