기술 :
PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
5.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
858pF @ 12V
FET 특징 :
Schottky Diode (Body)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-1210, 8-LFPAK33