기술 :
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
16nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1350pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)