제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
400mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.8V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
20pF @ 5V
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363