APT33GF120B2RDQ2G 가격 (USD) [4845PC 주식]
- 1 pcs$8.94169
- 10 pcs$7.73120
- 25 pcs$7.15133
- 100 pcs$6.57150
- 250 pcs$5.99167
- 부품 번호:
- APT33GF120B2RDQ2G
- 상세 설명:
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - 트라이 액, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation APT33GF120B2RDQ2G electronic components. APT33GF120B2RDQ2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT33GF120B2RDQ2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT33GF120B2RDQ2G 제품 속성
부품 번호 :
APT33GF120B2RDQ2G
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
64A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
75A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 25A
전력 - 최대 :
357W
스위칭 에너지 :
1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
170nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
14ns/185ns
시험 조건 :
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
-
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-247-3 Variant
공급 업체 장치 패키지 :
-
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- IXGH12N60CD1
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- IXGR40N60C2
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