Vishay Siliconix - IRLD024PBF

KEY Part #: K6416683

IRLD024PBF 가격 (USD) [76032PC 주식]

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  • 1,000 pcs$0.18729

부품 번호:
IRLD024PBF
제조사:
Vishay Siliconix
상세 설명:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 정류기 - 단일, 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 전원 드라이버 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLD024PBF 제품 속성

부품 번호 : IRLD024PBF
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 18nC @ 5V
Vgs (최대) : ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 870pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 1.3W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
패키지 / 케이스 : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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