Toshiba Semiconductor and Storage - TRS12E65C,S1Q

KEY Part #: K6437279

TRS12E65C,S1Q 가격 (USD) [7633PC 주식]

  • 1 pcs$5.66740
  • 10 pcs$5.10154

부품 번호:
TRS12E65C,S1Q
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TRS12E65C,S1Q 제품 속성

부품 번호 : TRS12E65C,S1Q
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 650V
전류 - 평균 정류 (Io) : 12A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.7V @ 12A
속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 90µA @ 170V
커패시턴스 @ Vr, F : 65pF @ 650V, 1MHz
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-220-2
공급 업체 장치 패키지 : TO-220-2L
작동 온도 - 정션 : 175°C (Max)

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