과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1000V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
37.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1020pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB