Microsemi Corporation - APT100GN60LDQ4G

KEY Part #: K6422437

APT100GN60LDQ4G 가격 (USD) [5895PC 주식]

  • 1 pcs$6.98950
  • 10 pcs$6.35313
  • 25 pcs$5.87647
  • 100 pcs$5.40003
  • 250 pcs$4.92355

부품 번호:
APT100GN60LDQ4G
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
IGBT 600V 229A 625W TO264.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GN60LDQ4G 제품 속성

부품 번호 : APT100GN60LDQ4G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : IGBT 600V 229A 625W TO264
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 229A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 300A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 100A
전력 - 최대 : 625W
스위칭 에너지 : 4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 600nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 31ns/310ns
시험 조건 : 400V, 100A, 1 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-264-3, TO-264AA
공급 업체 장치 패키지 : TO-264 [L]

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