Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6P16FE(TE85L,F)

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SSM6P16FE(TE85L,F) 가격 (USD) [170037PC 주식]

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부품 번호:
SSM6P16FE(TE85L,F)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6P16FE(TE85L,F) 제품 속성

부품 번호 : SSM6P16FE(TE85L,F)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
시리즈 : π-MOSVI
부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 11pF @ 3V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 150mW (Ta)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : ES6
패키지 / 케이스 : SOT-563, SOT-666

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