ON Semiconductor - NRVBM120ET1G

KEY Part #: K6448995

NRVBM120ET1G 가격 (USD) [401844PC 주식]

  • 1 pcs$0.09713
  • 3,000 pcs$0.09664

부품 번호:
NRVBM120ET1G
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers REC 1A 20V PWRMITE SCHTKY
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVBM120ET1G 제품 속성

부품 번호 : NRVBM120ET1G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
시리즈 : POWERMITE®
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 20V
전류 - 평균 정류 (Io) : 1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 595mV @ 2A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 500nA @ 5V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : DO-216AA
공급 업체 장치 패키지 : Powermite
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 150°C

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