제조사 :
Central Semiconductor Corp
기술 :
TRANSISTOR PNP TO-106
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
60V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
250mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
250 @ 100µA, 5V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-106-3 Domed