Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWF06STRPBF

KEY Part #: K6442941

[2962PC 주식]


    부품 번호:
    VS-8EWF06STRPBF
    제조사:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    상세 설명:
    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8EWF06STRPBF 제품 속성

    부품 번호 : VS-8EWF06STRPBF
    제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
    기술 : DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    다이오드 유형 : Standard
    전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
    전류 - 평균 정류 (Io) : 8A
    전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 8A
    속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    역 회복 시간 (trr) : 200ns
    전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100µA @ 600V
    커패시턴스 @ Vr, F : -
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    공급 업체 장치 패키지 : D-PAK (TO-252AA)
    작동 온도 - 정션 : -40°C ~ 150°C

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