Infineon Technologies - IPC90R800C3X1SA1

KEY Part #: K6401283

IPC90R800C3X1SA1 가격 (USD) [3104PC 주식]

  • 9,756 pcs$0.56187

부품 번호:
IPC90R800C3X1SA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET N-CH BARE DIE.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - 트라이 액, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - IGBT - 모듈 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies IPC90R800C3X1SA1 electronic components. IPC90R800C3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC90R800C3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC90R800C3X1SA1 제품 속성

부품 번호 : IPC90R800C3X1SA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH BARE DIE
시리즈 : *
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : -
과학 기술 : -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : -
작동 온도 : -
실장 형 : -
공급 업체 장치 패키지 : -
패키지 / 케이스 : -

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • LND150N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • DN2530N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

  • IRFIBC30GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

  • TPC8048-H(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

  • SI4628DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

  • IRF720SPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.