제조사 :
GeneSiC Semiconductor
기술 :
DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER
다이오드 구성 :
1 Pair Common Anode
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
35V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) :
200A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
600mV @ 200A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
3mA @ 35V
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C
공급 업체 장치 패키지 :
Three Tower