Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH2BHE3/5BT

KEY Part #: K6447567

[7237PC 주식]


    부품 번호:
    ESH2BHE3/5BT
    제조사:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    상세 설명:
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 정류기 - 단일, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ESH2BHE3/5BT 제품 속성

    부품 번호 : ESH2BHE3/5BT
    제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
    기술 : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
    시리즈 : -
    부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
    다이오드 유형 : Standard
    전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 100V
    전류 - 평균 정류 (Io) : 2A
    전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 930mV @ 2A
    속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    역 회복 시간 (trr) : 35ns
    전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 2µA @ 100V
    커패시턴스 @ Vr, F : -
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : DO-214AA, SMB
    공급 업체 장치 패키지 : DO-214AA (SMB)
    작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 175°C

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