기술 :
MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
117 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 4.4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
106nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1850pF @ 800V