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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG2S0HBAI4

KEY Part #: K938186

TC58BVG2S0HBAI4 가격 (USD) [19471PC 주식]

  • 1 pcs$2.35334
부품 번호:
TC58BVG2S0HBAI4
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 인터페이스 - 아날로그 스위치, 멀티플렉서, 디멀티플렉서, 선형 - 증폭기 - 계측, OP 앰프, 버퍼 앰프, 데이터 수집 - 터치 스크린 컨트롤러, 인터페이스 - 전문화 됨, 데이터 수집 - 디지털 - 아날로그 컨버터 (DAC), PMIC - 게이트 드라이버, 인터페이스 - 드라이버, 수신기, 트랜시버 and 임베디드 - 시스템 온 칩 (SoC) ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG2S0HBAI4 제품 속성

부품 번호 : TC58BVG2S0HBAI4
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
시리즈 : Benand™
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 4Gb (512M x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : 25ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 63-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 63-TFBGA (9x11)

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    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

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