RFUH20TB4S 가격 (USD) [59949PC 주식]
- 1 pcs$0.71913
- 10 pcs$0.63718
- 25 pcs$0.57547
- 100 pcs$0.50356
- 250 pcs$0.44190
- 500 pcs$0.39051
- 1,000 pcs$0.29164
- 2,500 pcs$0.27219
- 5,000 pcs$0.25858
- 부품 번호:
- RFUH20TB4S
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN. Diodes - General Purpose, Power, Switching 430V Vrm 20A Io Recovery Diode
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 제너 - 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 다이오드 - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFUH20TB4S electronic components. RFUH20TB4S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFUH20TB4S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFUH20TB4S 제품 속성
부품 번호 :
RFUH20TB4S
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN
시리즈 :
-
부품 상태 :
Not For New Designs
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
430V
전류 - 평균 정류 (Io) :
20A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.7V @ 20A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
25ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 430V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-220-3 Full Pack
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220FN
작동 온도 - 정션 :
150°C (Max)
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