ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBLI-TR

KEY Part #: K938706

IS43DR86400E-3DBLI-TR 가격 (USD) [21558PC 주식]

  • 1 pcs$2.12562

부품 번호:
IS43DR86400E-3DBLI-TR
제조사:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
상세 설명:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 논리 - 게이트 및 인버터, PMIC - 게이트 드라이버, 선형 비교기, PMIC - 또는 컨트롤러, 이상적인 다이오드, PMIC - 전원 컨트롤러, 모니터, PMIC - RMS 대 DC 컨버터, 인터페이스 - 인코더, 디코더, 컨버터 and 임베디드 - 마이크로 컨트롤러 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBLI-TR 제품 속성

부품 번호 : IS43DR86400E-3DBLI-TR
제조사 : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
기술 : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Volatile
메모리 형식 : DRAM
과학 기술 : SDRAM - DDR2
메모리 크기 : 512Mb (64M x 8)
클럭 주파수 : 333MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 15ns
액세스 시간 : 450ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 60-TFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 60-TWBGA (8x10.5)

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