[19PC 주식]
- 부품 번호:
- FQA28N50
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor FQA28N50 electronic components. FQA28N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA28N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA28N50 제품 속성
부품 번호 :
FQA28N50
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
시리즈 :
QFET®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
28.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
5600pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
310W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-3P
패키지 / 케이스 :
TO-3P-3, SC-65-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- IXTM67N10
- IRFS4321-7PPBF
- NVD4805NT4G
- JANTXV2N6790
- JAN2N7227
- RJK6015DPM-00#T1
- RJK0601DPN-E0#T2
- BUK953R5-60E,127
- AOTF2918L
- SCH1334-TL-H
- SI4412ADY-T1-GE3
- SI1405BDH-T1-E3
- 2SK4021(Q)
- APTM20UM05SG
- FDZ201N
- NTB4302
- SPN02N60S5
- HUF75617D3
- HUF76009D3ST
- IRLR014NPBF
- TPCA8016-H(TE12LQM
- JAN2N6784U
- APTM120U10SCAVG
- IRL3714ZSTRR
- MMBF170LT1
- IRLR3714ZTRR
- IRL3202L
- IRFR9024NTRR
- BUK7107-55ATE,118
- IPI60R165CPXKSA1
- HUF75842P3
- FDPF7N60NZT
- SIS892DN-T1-GE3
- STU85N3LH5
- SI7386DP-T1-E3
- IRFR3709ZTRLPBF
- BUK9M28-80EX
- BUK7Y53-100B,115
- IPN60R2K1CEATMA1
- PSMN020-30MLCX