기술 :
MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.15nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
21pF @ 5V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-23 (TO-236AB)
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3