Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS33-TAP

KEY Part #: K6439517

BAS33-TAP 가격 (USD) [2457210PC 주식]

  • 1 pcs$0.01505
  • 50,000 pcs$0.01370

부품 번호:
BAS33-TAP
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 사이리스터 - 트라이 액 and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS33-TAP 제품 속성

부품 번호 : BAS33-TAP
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 30V
전류 - 평균 정류 (Io) : 200mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1V @ 100mA
속도 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 1nA @ 15V
커패시턴스 @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : DO-204AH, DO-35, Axial
공급 업체 장치 패키지 : DO-35
작동 온도 - 정션 : 175°C (Max)

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