EPC2045ENGRT 가격 (USD) [12230PC 주식]
- 2,500 pcs$1.23146
- 부품 번호:
- EPC2045ENGRT
- 제조사:
- EPC
- 상세 설명:
- GANFET TRANS 100V BUMPED DIE.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in EPC EPC2045ENGRT electronic components. EPC2045ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2045ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2045ENGRT 제품 속성
부품 번호 :
EPC2045ENGRT
제조사 :
EPC
기술 :
GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
시리즈 :
eGaN®
부품 상태 :
Discontinued at Digi-Key
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Vgs (최대) :
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
685pF @ 50V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
-
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
Die
패키지 / 케이스 :
Die
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