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Central Semiconductor Corp - CTLDM7120-M621H TR

KEY Part #: K6416234

CTLDM7120-M621H TR 가격 (USD) [34506PC 주식]

  • 3,000 pcs$0.12490
부품 번호:
CTLDM7120-M621H TR
제조사:
Central Semiconductor Corp
상세 설명:
MOSFET N-CH 20V 1A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
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We specialize in Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M621H TR electronic components. CTLDM7120-M621H TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CTLDM7120-M621H TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM7120-M621H TR 제품 속성

부품 번호 : CTLDM7120-M621H TR
제조사 : Central Semiconductor Corp
기술 : MOSFET N-CH 20V 1A
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
Vgs (최대) : 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 220pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 1.6W (Ta)
작동 온도 : -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : TLM621H
패키지 / 케이스 : 6-XFDFN Exposed Pad
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