Infineon Technologies - BSM100GP60BOSA1

KEY Part #: K6534162

BSM100GP60BOSA1 가격 (USD) [499PC 주식]

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부품 번호:
BSM100GP60BOSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GP60BOSA1 제품 속성

부품 번호 : BSM100GP60BOSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
IGBT 유형 : -
구성 : Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 135A
전력 - 최대 : 420W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V
입력 : Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : -40°C ~ 125°C
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : Module