APT34N80B2C3G 가격 (USD) [8189PC 주식]
- 1 pcs$5.53519
- 10 pcs$5.03368
- 100 pcs$4.27862
- 500 pcs$3.64940
- 부품 번호:
- APT34N80B2C3G
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기 and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation APT34N80B2C3G electronic components. APT34N80B2C3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT34N80B2C3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT34N80B2C3G 제품 속성
부품 번호 :
APT34N80B2C3G
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.9V @ 2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
355nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4510pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
417W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스 :
TO-247-3 Variant
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