Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB75YF120UT

KEY Part #: K6533765

VS-GB75YF120UT 가격 (USD) [237PC 주식]

  • 1 pcs$195.06192
  • 12 pcs$160.00269

부품 번호:
VS-GB75YF120UT
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
IGBT 1200V 100A 480W ECONO.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일 and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB75YF120UT 제품 속성

부품 번호 : VS-GB75YF120UT
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : IGBT 1200V 100A 480W ECONO
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : -
구성 : -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100A
전력 - 최대 : 480W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 4.5V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : -
입력 : Standard
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : ECONO2 4PACK

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