제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2
구성 :
Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
1.84V @ 15V, 20A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
2.1nF @ 30V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
19-SIP (13 Leads), IMS-2