Vishay Semiconductor Diodes Division - BZT52C3V9-HE3-18

KEY Part #: K6500343

BZT52C3V9-HE3-18 가격 (USD) [2209863PC 주식]

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  • 10,000 pcs$0.01412

부품 번호:
BZT52C3V9-HE3-18
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123. Zener Diodes 3.9 Volt 0.5W 5% AUTO
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 브리지 정류기 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZT52C3V9-HE3-18 제품 속성

부품 번호 : BZT52C3V9-HE3-18
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 3.9V
공차 : ±5%
전력 - 최대 : 410mW
임피던스 (최대) (Zzt) : 80 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : -
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SOD-123
공급 업체 장치 패키지 : SOD-123

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