제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS NPN 3A 50V TO226-3
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
500mV @ 75mA, 1.5A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
120 @ 100mA, 2V
패키지 / 케이스 :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body