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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI6

KEY Part #: K940865

TC58BYG0S3HBAI6 가격 (USD) [32393PC 주식]

  • 1 pcs$0.92400
  • 10 pcs$0.83202
  • 25 pcs$0.81881
  • 50 pcs$0.81655
  • 100 pcs$0.72963
  • 250 pcs$0.70592
부품 번호:
TC58BYG0S3HBAI6
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 메모리 - 배터리, 인터페이스 - 필터 - 활성, 논리 - 카운터, 분배기, 인터페이스 - 컨트롤러, PMIC - V / F 및 F / V 컨버터, 데이터 수집 - ADC / DAC - 특수용, 인터페이스 - 전문화 됨 and 인터페이스 - 아날로그 스위치, 멀티플렉서, 디멀티플렉서 ...
경쟁 우위:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI6 electronic components. TC58BYG0S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI6 제품 속성

부품 번호 : TC58BYG0S3HBAI6
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
시리즈 : Benand™
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 1Gb (128M x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : 25ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 67-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 67-VFBGA (6.5x8)

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