Infineon Technologies - IRF7424TRPBF

KEY Part #: K6420136

IRF7424TRPBF 가격 (USD) [163814PC 주식]

  • 1 pcs$0.22579
  • 4,000 pcs$0.19295

부품 번호:
IRF7424TRPBF
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies IRF7424TRPBF electronic components. IRF7424TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7424TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7424TRPBF 제품 속성

부품 번호 : IRF7424TRPBF
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
시리즈 : HEXFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4030pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2.5W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 8-SO
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다