DMN1019UVT-7 가격 (USD) [635766PC 주식]
- 1 pcs$0.05818
- 3,000 pcs$0.05240
- 부품 번호:
- DMN1019UVT-7
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1019UVT-7 electronic components. DMN1019UVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1019UVT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1019UVT-7 제품 속성
부품 번호 :
DMN1019UVT-7
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
800mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
50.4nC @ 8V
Vgs (최대) :
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2588pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
1.73W (Ta)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
TSOT-26
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- IPC90R500C3X1SA1
- BUK9214-80EJ
- GP1M004A090H
- IPD122N10N3GBTMA1
- IXFR55N50
- IRFH5303TRPBF
- IPB90N06S4L04ATMA1
- RSS100N03FU6TB
- TPCC8003-H(TE12LQM
- NTLUS3192PZTBG
- SI3853DV-T1-E3
- NTF3055L175T3G
- 2SK2963(TE12L,F)
- ZXMN6A08E6TC
- ZXM64N03XTC
- FDD3580
- NVHL040N65S3F
- FDS3612
- IPW60R055CFD7XKSA1
- FDS7096N3
- IRFSL3207
- NP90N055MUK-S18-AY
- AUIRF4104S
- IPP05N03LA
- IRFR024
- IRFL210TR
- STI5N52U
- IXTH6N90
- STD130N4F6AG
- AUIRF1018E
- STD150N3LLH6
- IRFI7446GPBF
- AUIRFU540Z
- IRFH5210TRPBF
- SQS460EN-T1_GE3
- RQ3E150MNTB1
- TJ15S06M3L(T6L1,NQ
- TK3P50D,RQ(S
- IPN70R1K0CEATMA1
- SISC185N06LX1SA1