기술 :
MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 특징 :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
패키지 / 케이스 :
8-SMD, Flat Lead
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-383FL, EMH8