Infineon Technologies - IPB100N04S2L03ATMA2

KEY Part #: K6418342

IPB100N04S2L03ATMA2 가격 (USD) [59891PC 주식]

  • 1 pcs$0.65287
  • 1,000 pcs$0.62172

부품 번호:
IPB100N04S2L03ATMA2
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies IPB100N04S2L03ATMA2 electronic components. IPB100N04S2L03ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB100N04S2L03ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB100N04S2L03ATMA2 제품 속성

부품 번호 : IPB100N04S2L03ATMA2
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
시리즈 : OptiMOS™
부품 상태 : Not For New Designs
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 6000pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 300W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.