기술 :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
200V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.2V @ 1A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
DO-204AL, DO-41, Axial
작동 온도 - 정션 :
-50°C ~ 150°C