기술 :
IC HIGH SIDE DRIVER 16SOIC
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
1V, 3.65V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
2A, 2A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
1200V
상승 / 하강 시간 (일반) :
15ns, 15ns
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)