Toshiba Semiconductor and Storage - RN2316(TE85L,F)

KEY Part #: K6527283

RN2316(TE85L,F) 가격 (USD) [1936260PC 주식]

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  • 3,000 pcs$0.01910
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  • 15,000 pcs$0.01412
  • 30,000 pcs$0.01329
  • 75,000 pcs$0.01246
  • 150,000 pcs$0.01107

부품 번호:
RN2316(TE85L,F)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - RF and 전원 드라이버 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2316(TE85L,F) 제품 속성

부품 번호 : RN2316(TE85L,F)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
시리즈 : -
부품 상태 : Active
트랜지스터 유형 : PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 50V
저항기 -베이스 (R1) : 4.7 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) : 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 500nA
빈도 - 전환 : 200MHz
전력 - 최대 : 100mW
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 : USM

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