부품 번호 :
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
11.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
156nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
7760pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63