기술 :
-20V PCHPCH POWER MOSFET
부품 상태 :
Not For New Designs
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
8.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2000pF @ 10V
공급 업체 장치 패키지 :
HUML2020L8