NSVMUN5211DW1T2G 가격 (USD) [924855PC 주식]
- 1 pcs$0.03999
- 6,000 pcs$0.03777
- 부품 번호:
- NSVMUN5211DW1T2G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor NSVMUN5211DW1T2G electronic components. NSVMUN5211DW1T2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN5211DW1T2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVMUN5211DW1T2G 제품 속성
부품 번호 :
NSVMUN5211DW1T2G
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
부품 상태 :
Active
트랜지스터 유형 :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 -베이스 (R1) :
10 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
35 @ 5mA, 10V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
500nA
빈도 - 전환 :
-
전력 - 최대 :
385mW
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 :
SC-88/SC70-6/SOT-363
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- RN4911(T5L,F,T)
- RN4904(T5L,F,T)
- DCX114EU-7
- NSVB123JPDXV6T1G
- PBLS2001S,115
- BCR 133S H6444
- UP04314G0L
- MUN5332DW1T1G
- MUN5233DW1T1
- MUN5216DW1T1
- BCR183SE6327BTSA1
- XP0438700L
- XP0621000L
- XN0121F00L
- NSBC124XPDXV6T1G
- UP0339600L
- NSBA143TDXV6T1
- NSBA114TDXV6T5
- NSBC124XDXV6T1
- NSBC144EPDXV6T5
- UMA4NT1
- DDC114EU-7
- NP061A300A
- XP0431200L
- XP0411100L
- XP0111F00L
- XP0111100L
- XN0421100L
- XN0411300L
- XN0111900L
- PBLS1504V,115
- DDA113TU-7-F
- XN0111000L
- RN2711(TE85L,F)
- IMH14AT108
- UMF8NTR
- EMB9T2R
- UMC2NTR
- BCR135SH6327XTSA1
- UMA6NTR