제조사 :
Renesas Electronics America Inc.
기술 :
RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
12V
잡음 지수 (dB Typ @ f) :
1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
40 @ 10mA, 3V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
30mA
패키지 / 케이스 :
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)