Microsemi Corporation - 1N647-1

KEY Part #: K6449814

1N647-1 가격 (USD) [30461PC 주식]

  • 1 pcs$1.30447
  • 10 pcs$1.17887
  • 25 pcs$0.99876
  • 100 pcs$0.89887
  • 250 pcs$0.79899
  • 500 pcs$0.69911
  • 1,000 pcs$0.57927
  • 2,500 pcs$0.53932

부품 번호:
1N647-1
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N647-1 제품 속성

부품 번호 : 1N647-1
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 400V
전류 - 평균 정류 (Io) : 400mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1V @ 400mA
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 50nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : DO-204AH, DO-35, Axial
공급 업체 장치 패키지 : DO-35
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C

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