Toshiba Semiconductor and Storage - RN1902FE,LF(CT

KEY Part #: K6529589

RN1902FE,LF(CT 가격 (USD) [1436579PC 주식]

  • 1 pcs$0.02588
  • 4,000 pcs$0.02575

부품 번호:
RN1902FE,LF(CT
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1902FE,LF(CT 제품 속성

부품 번호 : RN1902FE,LF(CT
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
시리즈 : -
부품 상태 : Active
트랜지스터 유형 : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 50V
저항기 -베이스 (R1) : 10 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) : 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 : 250MHz
전력 - 최대 : 100mW
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 : ES6

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