[4125PC 주식]
- 부품 번호:
- SSM6L13TU(T5L,F,T)
- 상세 설명:
- MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - RF, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - JFET ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU(T5L,F,T) electronic components. SSM6L13TU(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6L13TU(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6L13TU(T5L,F,T) 제품 속성
부품 번호 :
SSM6L13TU(T5L,F,T)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N and P-Channel
FET 특징 :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
800mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
268pF @ 10V, 250pF @ 10V
전력 - 최대 :
500mW
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지 :
UF6
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